導体は高純度銀をコートした無酸素銅を使用し、4層にも及ぶ同心撚り構造を採用(0.32×61本)。

絶縁材には低誘電損失と各周波数での誘電率のずれを生じさせないハイフロンFEPを導体及び外部シールドにも使用したデュアルハイフロン構造。

制振及び温度変化対策として、棒状極細のマイクログラスファイバーを導体とともに高耐熱の極厚PTFEテープによる高圧縮撚りを行い、超低周波帯域から超高周波帯域まで揺らぎのないフラットな周波数特性を実現。

さらに低ノイズ化高S/Nを実現させるために、高純度銀コート極狭編組を使用した構造を採用したことにより、超低周波帯域から超高周波帯域における音のハイレスポンスも実現。

最終外皮にまでハイフロンを採用したデュアルハイフロンとしたことにより、高耐熱性、高耐水性、高耐薬品性、高耐光性、性能長期安定性を最高度に実現。

プラグ部においては、ケースに純銅及びカーボンを使用し、高いノイズ対策、制振対策を施し、さらに端子部に長期安定性、信頼性、安全性の高い金コートを施した万全の仕様。

正確な音場空間におけるパワフルなリアリズムを追求し、沈み込んだ超低音域から抜け上がる超高音域まで高速、大容量伝送時代に即したプレミアムリファレンスハイエンドモデル。